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1N5550US

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品番
1N5550US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$17.45900
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$17.45900

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品番
1N5550US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
200V
電流-平均整流(Io)
3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.2V @ 9A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
2µs
電流-Vrでの逆漏れ
1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ
D-5B
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C

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