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IPB017N10N5ATMA1

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品番
IPB017N10N5ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB017N10N5ATMA1.pdf
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$3.68553

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品番
IPB017N10N5ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.8V @ 279µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
210nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
15600pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
375W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ/ケース
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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