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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NVMFSW6D1N08HT1G

NVMFSW6D1N08HT1G

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品番
NVMFSW6D1N08HT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.74382
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$0.74382

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品番
NVMFSW6D1N08HT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
17A (Ta), 89A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 120µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
32nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2085pF @ 40V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.8W (Ta), 104W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN, 5 Leads

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