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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDMS4435BZ

FDMS4435BZ

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品番
FDMS4435BZ
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDMS4435BZ.pdf
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品番
FDMS4435BZ
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
47nC @ 10V
Vgs（最大）
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2050pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.5W (Ta), 39W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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