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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FQD1N80TM

FQD1N80TM

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品番
FQD1N80TM
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQD1N80TM.pdf
合計:$0.35313
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品番
FQD1N80TM
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
7.2nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
195pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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