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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

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品番
TPC8026(TE12L,Q,M)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
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品番
TPC8026(TE12L,Q,M)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
42nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1800pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
1W (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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