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APTM100A13DG

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品番
APTM100A13DG
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$158.08570
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$158.08570

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品番
APTM100A13DG
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1000V (1kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
65A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 6mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
562nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
15200pF @ 25V
パワー-最大
1250W
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
SP6
サプライヤーデバイスパッケージ
SP6

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