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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

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品番
DMT10H010LSS-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMT10H010LSS-13.pdf
合計:$0.70470
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$0.70470

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品番
DMT10H010LSS-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.8V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
71nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3000pF @ 50V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.4W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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