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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSC057N08NS3GATMA1

BSC057N08NS3GATMA1

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品番
BSC057N08NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSC057N08NS3GATMA1.pdf
合計:$1.05511
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$1.05511

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品番
BSC057N08NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
16A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 73µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
56nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3900pF @ 40V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.5W (Ta), 114W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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