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SI4931DY-T1-GE3

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品番
SI4931DY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI4931DY-T1-GE3.pdf
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$0.47921

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品番
SI4931DY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 350µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
52nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
1.1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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