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IRFD214PBF

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品番
IRFD214PBF
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFD214PBF.pdf
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品番
IRFD214PBF
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
450mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
8.2nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
140pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
1W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース
4-DIP (0.300", 7.62mm)

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