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GB10SLT12-252

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品番
GB10SLT12-252
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GB10SLT12-252.pdf
合計:$5.89050
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$5.89050

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品番
GB10SLT12-252
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
部品ステータス
Not For New Designs
ダイオードタイプ
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
1200V
電流-平均整流(Io)
10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
2V @ 10A
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr)
0ns
電流-Vrでの逆漏れ
250µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F
520pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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