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SI5509DC-T1-E3

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品番
SI5509DC-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
SI5509DC-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N and P-Channel
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.1A, 4.8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
6.6nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
455pF @ 10V
パワー-最大
4.5W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
1206-8 ChipFET™

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