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HGT1S10N120BNST

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品番
HGT1S10N120BNST
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HGT1S10N120BNST.pdf
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品番
HGT1S10N120BNST
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
35A
電流-パルスコレクター(Icm)
80A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大
298W
スイッチングエネルギー
320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
100nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
23ns/165ns
試験条件
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263AB

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