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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル RP1A090ZPTR

RP1A090ZPTR

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品番
RP1A090ZPTR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
RP1A090ZPTR.pdf
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品番
RP1A090ZPTR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
12 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
59nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
7400pF @ 6V
FET機能
-
消費電力（最大）
2W (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
MPT6
パッケージ/ケース
6-SMD, Flat Leads

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