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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXFA5N100P

IXFA5N100P

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品番
IXFA5N100P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFA5N100P.pdf
合計:$3.15000
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$3.15000

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品番
IXFA5N100P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
33.4nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1830pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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