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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

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品番
SIR802DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIR802DP-T1-GE3.pdf
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品番
SIR802DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
32nC @ 10V
Vgs（最大）
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1785pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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