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IPZ65R019C7XKSA1

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品番
IPZ65R019C7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V TO247-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPZ65R019C7XKSA1.pdf
合計:$24.95000
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$24.95000

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品番
IPZ65R019C7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V TO247-4
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
75A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
19 mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 2.92mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
215nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
9900pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
446W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ/ケース
TO-247-4

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