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TK39J60W5,S1VQ

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品番
TK39J60W5,S1VQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$11.05000
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$11.05000

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品番
TK39J60W5,S1VQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
38.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.7V @ 1.9mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
135nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4100pF @ 300V
FET機能
Super Junction
消費電力(最大)
270W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P(N)
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3

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