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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル R6007ENJTL

R6007ENJTL

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品番
R6007ENJTL
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
R6007ENJTL.pdf
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品番
R6007ENJTL
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
620 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
20nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
390pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
40W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
LPTS (D2PAK)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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