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SIS776DN-T1-GE3

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品番
SIS776DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIS776DN-T1-GE3.pdf
合計:$0.46200
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品番
SIS776DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
6.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
36nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1360pF @ 15V
FET機能
Schottky Diode (Body)
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8

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