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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

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品番
DMN3009SFGQ-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN3009SFGQ-13.pdf
合計:$0.48946
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$0.48946

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品番
DMN3009SFGQ-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
16A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
42nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2000pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
900mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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