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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDD2582

FDD2582

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品番
FDD2582
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDD2582.pdf
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品番
FDD2582
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
3.7A (Ta), 21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
66 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
25nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1295pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
95W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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