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DMN2600UFB-7

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品番
DMN2600UFB-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN2600UFB-7.pdf
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品番
DMN2600UFB-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
0.85nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
70.13pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
540mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
3-DFN1006 (1.0x0.6)
パッケージ/ケース
3-UFDFN

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