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SQJB00EP-T1_GE3

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品番
SQJB00EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQJB00EP-T1_GE3.pdf
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品番
SQJB00EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
30A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1700pF @ 25V
パワー-最大
48W
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual

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