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TSM6502CR RLG

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品番
TSM6502CR RLG
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
TSM6502CR RLG.pdf
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品番
TSM6502CR RLG
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N and P-Channel
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
パワー-最大
40W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDFN (5x6)

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