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IRF1010EPBF

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品番
IRF1010EPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF1010EPBF.pdf
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$1.71000

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品番
IRF1010EPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
84A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
130nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3210pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
200W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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