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TPMR10J S1G

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品番
TPMR10J S1G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
TPMR10J S1G.pdf
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品番
TPMR10J S1G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.8V @ 10A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
40ns
電流-Vrでの逆漏れ
10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F
140pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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