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EPC2100ENGRT

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品番
EPC2100ENGRT
メーカー
EPC
説明
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2100ENGRT.pdf
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品番
EPC2100ENGRT
メーカー
EPC
説明
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
パワー-最大
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die

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