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DMN1016UCB6-7

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品番
DMN1016UCB6-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN1016UCB6-7.pdf
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品番
DMN1016UCB6-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
5.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
423pF @ 6V
FET機能
-
消費電力(最大)
920mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
U-WLB1510-6
パッケージ/ケース
6-UFBGA, WLBGA

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