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SISH617DN-T1-GE3

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品番
SISH617DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SISH617DN-T1-GE3.pdf
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品番
SISH617DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
13.9A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
59nC @ 10V
Vgs(最大)
±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1800pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8SH

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