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BSM75GAR120DN2HOSA1

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品番
BSM75GAR120DN2HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$78.53300
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(米ドルで)
1個
$78.53300

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品番
BSM75GAR120DN2HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
Trench Field Stop
構成
Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
30A
パワー-最大
235W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.2V @ 15V, 15A
電流-コレクターのカットオフ(最大)
400µA
入力容量(Cies)@ Vce
1nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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