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CSD23202W10T

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品番
CSD23202W10T
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
CSD23202W10T.pdf
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品番
CSD23202W10T
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)
-6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
512pF @ 6V
FET機能
-
消費電力(最大)
1W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース
4-UFBGA, DSBGA

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