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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSC084P03NS3GATMA1

BSC084P03NS3GATMA1

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品番
BSC084P03NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSC084P03NS3GATMA1.pdf
合計:$0.47182
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$0.47182

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品番
BSC084P03NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.1V @ 105µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
58nC @ 10V
Vgs（最大）
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4785pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.5W (Ta), 69W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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