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BSC019N06NSATMA1

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品番
BSC019N06NSATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIFFERENTIATED MOSFETS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSC019N06NSATMA1.pdf
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品番
BSC019N06NSATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIFFERENTIATED MOSFETS
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
100A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.3V @ 74µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
77nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
5.25nF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
136W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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