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SIHB12N60E-GE3

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品番
SIHB12N60E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHB12N60E-GE3.pdf
合計:$2.28000
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$2.28000

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品番
SIHB12N60E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
58nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
937pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
147W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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