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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDN358P

FDN358P

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品番
FDN358P
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.13467
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$0.13467

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品番
FDN358P
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
5.6nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
182pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
500mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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