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APTM100H45FT3G

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品番
APTM100H45FT3G
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$89.35350
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$89.35350

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品番
APTM100H45FT3G
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
部品ステータス
Active
FETタイプ
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1000V (1kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
18A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
154nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4350pF @ 25V
パワー-最大
357W
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
SP3
サプライヤーデバイスパッケージ
SP3

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