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SI7703EDN-T1-E3

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品番
SI7703EDN-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI7703EDN-T1-E3.pdf
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品番
SI7703EDN-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 800µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
18nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
FET機能
Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大)
1.3W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8

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