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SI4914BDY-T1-GE3

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品番
SI4914BDY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
SI4914BDY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
8.4A, 8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
2.7W, 3.1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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