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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

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品番
SI7820DN-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI7820DN-T1-E3.pdf
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$0.67601

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品番
SI7820DN-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
240 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
18nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
-
FET機能
-
消費電力（最大）
1.5W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8

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