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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IRL630PBF

IRL630PBF

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品番
IRL630PBF
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRL630PBF.pdf
合計:$2.59000
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$2.59000

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品番
IRL630PBF
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4V, 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
40nC @ 10V
Vgs（最大）
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1100pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
74W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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