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GT10J312(Q)

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品番
GT10J312(Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GT10J312(Q).pdf
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品番
GT10J312(Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
部品ステータス
Obsolete
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
600V
電流-コレクター(Ic)(最大)
10A
電流-パルスコレクター(Icm)
20A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大
60W
スイッチングエネルギー
-
入力方式
Standard
ゲートチャージ
-
Td(オン/オフ)@ 25°C
400ns/400ns
試験条件
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
200ns
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220SM

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