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HGTP3N60A4D

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品番
HGTP3N60A4D
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HGTP3N60A4D.pdf
合計:$1.40881
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品番
HGTP3N60A4D
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
600V
電流-コレクター(Ic)(最大)
17A
電流-パルスコレクター(Icm)
40A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.7V @ 15V, 3A
パワー-最大
70W
スイッチングエネルギー
37µJ (on), 25µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
21nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
6ns/73ns
試験条件
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
29ns
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3

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