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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル EPC2020

EPC2020

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品番
EPC2020
メーカー
EPC
説明
GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2020.pdf
合計:$4.60350
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$4.60350

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品番
EPC2020
メーカー
EPC
説明
GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
90A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
2.2 mOhm @ 31A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 16mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
16nC @ 5V
Vgs（最大）
+6V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1780pF @ 30V
FET機能
-
消費電力（最大）
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die

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