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QJD1210011

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品番
QJD1210011
メーカー
Powerex, Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
QJD1210011.pdf
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品番
QJD1210011
メーカー
Powerex, Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
100A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
500nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
10200pF @ 800V
パワー-最大
900W
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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