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BU4S11G2-TR

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品番
BU4S11G2-TR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BU4S11G2-TR.pdf
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品番
BU4S11G2-TR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
部品ステータス
Active
論理タイプ
NAND Gate
回路数
1
入力数
2
特徴
-
電圧-供給
3V ~ 16V
電流-静止(最大)
1µA
電流-高出力、低出力
3.4mA, 3.4mA
論理レベル-低
1.5V ~ 4V
論理レベル-高
3.5V ~ 11V
Vでの最大伝搬遅延、最大CL
30ns @ 15V, 50pF
動作温度
-40°C ~ 85°C
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
5-SSOP
パッケージ/ケース
SC-74A, SOT-753

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