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IDB10S60C

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品番
IDB10S60C
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IDB10S60C.pdf
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品番
IDB10S60C
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
部品ステータス
Obsolete
ダイオードタイプ
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
10A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.7V @ 10A
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr)
0ns
電流-Vrでの逆漏れ
140µA @ 600V
静電容量@ Vr、F
480pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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