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1N6663US

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品番
1N6663US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$22.86000
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$22.86000

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品番
1N6663US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
500mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1V @ 400mA
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
50nA @ 600V
静電容量@ Vr、F
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ
D-5A
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C

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