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SI6968BEDQ-T1-GE3

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品番
SI6968BEDQ-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI6968BEDQ-T1-GE3.pdf
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品番
SI6968BEDQ-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
5.2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
18nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSSOP

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